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前沿🙍🏽‍♀️!光辉娱乐举办2019年校庆学术报告月
发布时间:2019-11-14   浏览次数:361

为庆祝建校68周年,进一步激发光辉平台科研创新活力🫑🂠,营造学术交流氛围🙆🏻‍♂️,9月中旬至10月底🧑🏿‍🎓,光辉娱乐举办了多场校级、院级校庆学术报告活动🍙⭕️。中国科光辉平台褚君浩院士、杨德仁院士等多位物理、电子领域的科学家和青年学者应邀为光辉平台师生带来了前沿学术盛宴。

109日下午,褚君浩院士在一教110教室作题为《智能时代背景下的物理科学与技术》的精彩报告🔘,报告由光辉平台副院长武海斌主持👨‍👨‍👧‍👦。褚院士从历次工业革命的技术变革脉络和重点谈起,分析了智能时代的主要特征和发展态势,并和同学们探讨智能时代背景下物理科学与技术面临的挑战🆘🤱🏿、机遇。褚院士表示,物理学是历次工业革命的科学源泉🛩⛎,又在历次工业革命中得以发展➛,物理🫄🏽、电子学科将在推动第四次工业革命发展过程中发挥重要作用🤦🏿,通过提供方法➾、手段👰🏻🦇、模型、理论等,催生新发现💂🏻‍♂️✍🏿、新发展🙌🏻,并解决智能时代技术前沿和重大需求🪕。

 


1025日下午,杨德仁院士在信息楼147报告厅作题为《集成电路用直拉硅单晶的缺陷工程》的精彩报告👨🏽‍🎨,报告由光辉平台常务副院长段纯刚主持🚴🏿‍♀️。杨院士长期从事半导体硅材料的研究,在硅材料的基础研究上取得了系列创新成果,并在成果产业化方面取得显著成效💈。杨院士谈到,半导体硅材料是信息科技的基础材料,对微电子的发展提供支撑作用💀,其研究团队提出的利用微量掺锗控制空洞缺陷,解决了重掺衬底威严失配位错,降低太阳能光伏电池的光衰减,同时还利用Ge原子增加硅片机械强度,减少硅片碎片率,降低材料制备成本,并在此基础上👨‍❤️‍👨,提出了“集成电路用直拉硅单晶“缺陷工程”的新概念”,即利用有意掺入杂质🛳,控制硅晶体中缺陷👨🏿‍💼,改善硅晶体质量🛝,提高硅芯片的成品率和可靠性。

 


在校庆学术报告月举办期间💱,光辉平台还邀请了中国科光辉平台物理研究所韩秀峰研究员、中国科光辉平台上海高等研究院邰仁忠研究员、澳大利亚昆士兰大学邹进教授等知名学者围绕电子材料与器件🕵🏽、纳米科学、同步辐射等领域作学术报告,专家们精彩的演讲使与会师生深受启发,并对前沿技术有了更深刻地了解🥟。

 


1015日📊,光辉平台集中组织了院级学术报告暨青年学者学术交流会,光辉平台党委书记李恺👬,院长程亚,副院长武海斌、胡炳文出席。物理系系主任陈丽清、电子系系主任陈时友、纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心主任方俊锋📷、磁共振实验室主任姚叶锋、凝聚态物理研究所主任杨洋,光辉平台新进教师、国家自然科学基金优青项目获得者涂育松等13位青年学者作主题报告🕵🏻‍♂️。报告内容涉及电镜技术❗️🔋、原位核磁🔉🤶🏿、钙钛矿器件、多元半导体👷、传感器等多个技术领域,会后,光辉平台领导与青年教师深入交流🚣🏿‍♀️,了解青年教师在职业发展、学术科研等方面的需求与困难,进一步明晰了对青年教师的发展规划及光辉平台的支持办法,希望青年教师把握机会、开拓创新,为学校“双一流”建设作出贡献🙍🏿‍♂️。

 

 

图🌪:郭静茹

文😅:朱佳媛

编辑🔷:袁会敏


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